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处理好它们才能获得符合EMI标准的开关电源
来源:东莞市成良智能科技 | 作者:成良智能科技 | 发布时间: 1623天前 | 1259 次浏览 | 分享到:
在开关电源中很容易找到作为寄生元件的100fF电容器。只有处理好它们才能获得符合EMI标准的电源。

来看一个开关电源之PCB板，垂直安装的FET，所带的开关节点与钳位电路延伸至了顶部。输入连接从左侧进入，到达距漏极连接1cm以内的位置。这就是故障点，在这里FET的开关电压波形可以绕过EMI滤波器耦合至输入。



在开关电源中很容易找到作为寄生元件的100fF电容器。只有处理好它们才能获得符合EMI标准的电源。

来看一个开关电源之PCB板，垂直安装的FET，所带的开关节点与钳位电路延伸至了顶部。输入连接从左侧进入，到达距漏极连接1cm以内的位置。这就是故障点，在这里FET的开关电压波形可以绕过EMI滤波器耦合至输入。

注意，漏极连接与输入引线之间有一些由输入电容器提供的屏蔽。开关电源之PCB板上的电容器的外壳连接至主接地，可为共模电流提供返回主接地的路径。从一条曲线上看，因为它反映出了几个问题：明显超出了规范要求的较低频率辐射、共模问题通常很明显的1MHz至2MHz组件，以及较高频率组件的衰减正弦(x)/x分布。

我们在故障点位置为EMI规范获得了大约6dB的裕量。此外，我们还显著减少了总体EMI签名。所有这些改善都仅仅是因为布局的调整，并未改变电路。如果您的开关电源之电路具有高电压开关并使用了屏蔽距离，您需要非常小心地对其进行控制。

总之，来自离线开关电源开关节点的100fF电容会导致超出规范要求的EMI签名。这种电容量只需寄生元件便可轻松实现，例如对漏极连接进行路由，使其靠近输入引线。通常可通过改善间距或屏蔽来解决该问题。要想获得更大衰减，需要增加滤波或减缓电路波形。