我们都知道开关电源之MOS管随着漏源电压不断增大，当达到夹断电压时，沟道厚度在漏极处减薄为零，沟道在漏极处消失，该处只剩下耗尽层，这是所谓的夹断；漏源电压继续增大，沟道的夹断点向源极方向运动，那么在沟道和漏极之间就会隔着一段耗尽区，当沟道中的电子到达沟道端头的耗尽区边界时，会立即被耗尽区内的强电场扫入漏区，所以会有电流的存在。由于开关电源之MOS管饱和区电子在耗尽区内的飘移速度已达到饱和速度，不再随着电场的增大而增大，所以漏极电流达到饱和。

当漏一源之间接上+ VDS时，从源一沟道一漏组成的N型半导体区域内产生了一个横向的电位梯度：源区为零电位，漏区为+ VIB，而沟道的电位则从源端向漏端逐渐升高。在开关电源之MOS管饱和区沟道的不同位置上，沟道厚度不同，源湍最厚，漏端最薄，逐渐升高。

在开关电源之MOS管饱和区沟道的不同位置上，沟道厚度不同，源端最厚，漏端最薄，当VDS增大到栅一漏电位差VGS= VLS= VGS（rh）时，漏端预夹断。这个夹断区成了漏一源间电流通路上电阻最大的区。V璐的任何一点增加都必然会集中降在这里，使预夹断区具有很强的电场。由于现在被夹的只是漏端的一个小区域，在预夹断区左边还有N沟道，这些自由电子仍可在沟道中漂移，在到达预夹断区时，就受夹断区强电场的吸引，滑入漏区。所以，在漏端预夹断后，漏一源之间仍有漏极电流ID。