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开关电源设计，何时使用BJT
来源: | 作者:东莞市成良智能科技 | 发布时间: 2472天前 | 1002 次浏览 | 分享到:
MOSFET已经是是开关电源领域的绝对主力器件。但在一些实例中，与MOSFET相比，双极性结式晶体管 (BJT) 可能仍然会有一定的优势。特别是在离线电源中，成本和高电压(大于 1kV)是使用BJT而非MOSFET的两大理由。
       MOSFET已经是是开关电源领域的主力器件。但在一些实例中，与MOSFET相比，双极性结式晶体管 (BJT) 可能仍然会有一定的优势。特别是在离线开关电源中，成本和高电压(大于 1kV)是使用BJT而非MOSFET的两大理由。
       在低功耗(3W 及以下)反激式开关电源中，很难在成本上击败 BJT。大批量购买时，一个 13003 NPN 晶体管价格可低至 0.03 美元。该器件不仅可处理 700V VCE，而且无需过大的基流便可驱动几百毫安的电流。使用 BJT，增益和功率耗散可能会将实际使用限制在低功耗应用中。在这些低功耗标准下，MOSFET 与 BJT 之间的效率差异非常细微。
       有些新控制器实际是设计用于驱动 BJT 的，目的是提供最低成本的解决方案。在大多数情况下，具有外部 BJT 的控制器比包含集成型 MOSFET 的控制器便宜。在使用 BJT 控制器进行设计时，必须注意确保 BJT 的基极驱动与增益足以在变压器中提供必要的峰值电流。
       在稍微偏高的功率级下，FET 与 BJT 的效率差异就会变得较为明显，原因在于 BJT 较差的开关特性与压降。但是，对于开关电源输入电压高于 100-240VAC 典型家用及商用电压范围的应用来说，BJT 可能仍有优势。工业应用与功率计就是这种情况的两个实例，它们可能需要更高的输入电压。价格合理的 MOSFET 只能用于 1kV 以下。在有些功率计应用中，线路电压可能会超过 480VACrms。在整流器后会达到 680Vdc 以上的电压。对于三相位输入，这一数字可能还会更高。开关电源需要能够承受这种电压以及反射输出电压与漏电峰值。在这些应用中，MOSFET 可能根本就无法作为选项，因此 BJT 就成了最简单、最低成本的解决方案。
       我们之前讨论过，当功率级提高到 3W 以上时，BJT 中的开关损失可能就会成为大问题。使用级联连接来驱动 BJT 可以缓解这一问题。
总之，BJT 可能会在您的开关电源中具有重要意义，仍然是有一些原因的。在低于 3W 的应用中，它们可能会在不怎么影响性能的情况下，具有低成本优势。在更高电压下，开关电源可在 MOSFET 选择可能具有局限性的情况下提供更多选择。