作为开关电源之元器件的MOS来说，对他们的要求是很高的，尽管质量再过硬，但是如果开关电源在使用过程中不当还是会造成它的损坏的，那么怎么来避免呢？下面就来和大家说说吧。

Mos在开关电源等控制器电路中的工作状态：开通过程（由截止到导通的过渡过程）、导通状态、关断过程（由导通到截止的过渡过程）、截止状态。开关电源之Mos主要损耗也对应这几个状态，开关损耗（开通过程和关断过程），导通损耗，截止损耗（漏电流引起的，这个忽略不计），还有雪崩能量损耗。只要把这些损耗控制在mos承受规格之内，mos即会正常工作，超出承受范围，即发生损坏。而开关损耗往往大于导通状态损耗，不同mos这个差距可能很大。

那么开关电源之Mos损坏主要原因：
过流----------持续大电流或瞬间超大电流引起的结温过高而烧毁；过压----------源漏过压击穿、源栅极过压击穿；静电----------静电击穿。CMOS电路都怕静电
开关电源之Mos开关原理（简要）。Mos是电压驱动型器件，只要栅极和源级间给一个适当电压，源级和漏级间通路就形成。这个电流通路的电阻被成为mos内阻，就是导通电阻。这个内阻大小基本决定了mos芯片能承受的最大导通电流（当然和其它因素有关，最有关的是热阻）。内阻越小承受电流越大（因为发热小）。

开关电源之Mos问题远没这么简单，麻烦在它的栅极和源级间，源级和漏级间，栅极和漏级间内部都有等效电容。所以给栅极电压的过程就是给电容充电的过程（电容电压不能突变），所以开关电源之mos源级和漏级间由截止到导通的开通过程受栅极电容的充电过程制约。

然而，这三个等效电容是构成串并联组合关系，它们相互影响，并不是独立的，如果独立的就很简单了。其中一个关键电容就是栅极和漏级间的电容Cgd，这个电容业界称为米勒电容。这个电容不是恒定的，随栅极和漏级间电压变化而迅速变化。因为这个时候源级和漏级间电压迅速变化，内部电容相应迅速充放电，这些开关电源之电流脉冲会导致mos寄生电感产生很大感抗，这里面就有电容，电感，电阻组成震荡电路（能形成2个回路），并且电流脉冲越强频率越高震荡幅度越大。